供应 IR牌子 IGBT IRG4PC40KPBF 【原装】【大量现货】
| 价 格： | 面议 | |
| 关断速度： | 高频(快速) | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 极数： | 双极型 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRG4PC40KPBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装材料： | 陶瓷封装 |
- 晶体管IGBT TO-247AC
- 晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 集电极直流电流:42A
- 饱和电压, Vce sat:2.6V
- 功耗, Pd:160W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C到 150°C
- 封装类型:TO-247AC
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)
- 上升时间:15ns
- 封装类型:TO-247AC
- 晶体管极性:N沟道
- 功耗:160W
- 连续电流, Ic:42A
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm脉冲:84A
- 表面安装器件:Through Hole
- 集电极电流, Ic ???均值:42A
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应：VISHAY:IRF820PBF:原装 优势代理
信息内容：IRF820PBF 场效应管MOSFET N TO-220 500V 2.5A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 2.5A 电压, Vds: 500V 在电阻RDS（上）: 3ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 40W 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 功率, Pd: 40W 功耗: 40W 封装类型: TO-220AB 引脚节距: 2.54mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 2.5A 热阻,结至外壳A: 2.5°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 500V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 10A 表面安装器件: Through Hole 针脚格式: 1 g 2 d/tab 3 s 针脚配置: a
供应：FSC牌子 场效应管FQPF6N90C【优势库存】【原装】
信息内容：FQPF6N90C数据列表FQP6N90C, FQPF6N90C产品相片TO-220AB 产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss900V电流-连续漏极(Id)（25° C时）6A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）2.3欧姆@ 3A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)40nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)1770pF @ 25V功率-值56W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220F包装管件 "
