供应：原装：场效应管：SPA11N80C3
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | SPA11N80C3 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电流, Id 连续： | 11A | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 功耗： | 41W |
SPA11N80C3
- 场效应管MOSFET N COOLMOS TO-220FP
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 11A
- 电压, Vds: 800V
- 在电阻RDS（上）: 450mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3V
- 功耗, Pd: 41W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-220FP
- 针脚数: 3
- 功率, Pd: 41W
- 功耗: 41W
- 封装类型: TO-220FP
- 总功率, Ptot: 41W
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 11A
- 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 11A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 800V
- 电压, Vds典型值: 800V
- 电压, Vgs: 20V
- 电流, Idm脉冲: 33A
- 结温, Tj: -55°C
- 结温, Tj: 150°C
- 表面安装器件: Through Hole
- 阈值电压, Vgs th: 3.9V
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深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
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