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供应:ST牌子 场效应管 STP65NF06 【原装】【优势代理】

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:STP65NF06
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:ST/意法
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
电流:60A
功耗:110W
工作温度范围:-55°C 到 +175°C

STP65NF06

  • 场效应管MOSFET N沟道60V 60A TO-220
  •  晶体管极性: N沟道
  •  电流, Id连续: 30A
  •  电压, Vds: 60V
  •  在电阻RDS(上): 11.5mohm
  •  电压@ Rds测量: 10V
  •  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
  •  功耗, Pd: 110W
  •  工作温度范围: -55°C 175°C
  •  封装类型: TO-220
  •  针脚数: 3
  •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
  •  封装类型: TO-220
  •  晶体管类型: 功率MOSFET
  •  漏极电流, Id: 60A
  •  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
  •  电压, Vds典型值: 60V
  •  电压, Vgs: 20V
  •  表面安装器件: Through Hole

 

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
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信息内容:

数据列表IRFP4110PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能逻辑电平门漏源极电压(Vdss)100V电流-连续漏极(Id)(25° C时)120A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)4.5毫欧@ 75A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)210nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)9620pF @ 50V功率-值370W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC "

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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP13N50C 【原装】

信息内容:

场效应管MOSFET N沟道500V 13A TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 13A 电压, Vds: 500V 在电阻RDS(上): 480mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 195W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 13A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 500V 电压, Vgs: 4V 表面安装器件: Through Hole

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