价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | STP65NF06 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
用途: | L/功率放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
电流: | 60A | |
功耗: | 110W | |
工作温度范围: | -55°C 到 +175°C |
STP65NF06
数据列表IRFP4110PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能逻辑电平门漏源极电压(Vdss)100V电流-连续漏极(Id)(25° C时)120A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)4.5毫欧@ 75A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)210nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)9620pF @ 50V功率-值370W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC "
场效应管MOSFET N沟道500V 13A TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 13A 电压, Vds: 500V 在电阻RDS(上): 480mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 195W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 13A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 500V 电压, Vgs: 4V 表面安装器件: Through Hole