供应：原装：SPW47N60C3（场效应管）现货库存
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | SPW47N60C3 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压： | 650V | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 功耗： | 415W |
SPW47N60C3
- 场效应管MOSFET N TO-247每管30
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 47A
- 电压, Vds: 650V
- 在电阻RDS（上）: 70mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3V
- 功耗, Pd: 415W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-247
- 针脚数: 3
- 封装类型: TO-247
- 总功率, Ptot: 415W
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 47A
- 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 47A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 650V
- 电压, Vds典型值: 650V
- 电压, Vgs: 3V
- 电流, Idm脉冲: 141A
- 结温, Tj: -55°C
- 结温, Tj: 150°C
- 表面安装器件: Through Hole
- 阈值电压, Vgs th: 3.9V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应 VISHAY牌子 场效应管IRFP360PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N沟道 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 23A 电压, Vds: 400V 在电阻RDS（上）: 200mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 280W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) ??装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 23A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 400V 电压, Vgs: 20V 表面安装器件: Through Hole
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP3N80C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 3A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 4ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 107W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 107W 功耗: 107W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 3A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 12A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 4.8ohm 阈值电压, Vgs th: 5V "
