价 格: | 面议 | |
材料: | MES金属半导体 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFP4004PBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | L/功率放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
电压: | 40V | |
电流: | 350A | |
工作温度范围: | -55°C 到 +175°C |
数据列表 | IRFP4004PBF |
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25° C时) | 195A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(值) | 1.7毫欧@ 195A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 330nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8920pF @ 25V |
功率-值 | 380W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
包装 | 管件 |
数据列表IRFP4227PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流-连续漏极(Id)(25° C时)65A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)25毫欧@ 46A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)98nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4600pF @ 25V功率-值330W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件 "
数据列表FQP9N25C,产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装1,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)250V电流-连续漏极(Id)(25° C时)8.8A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)430毫欧@ 4.4A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)35nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)710pF @ 25V功率-值74W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220包装管件