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供应 IR牌子 场效应管IRFP4004PBF 【原装】【优势库存】

价 格: 面议
材料:MES金属半导体
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRFP4004PBF
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
电压:40V
电流:350A
工作温度范围:-55°C 到 +175°C

数据列表

IRFP4004PBF

产品相片

TO-247-3

标准包装

25

类别

分立半导体产品

家庭

FET -

系列

HEXFET®

FET类型

MOSFET N通道,金属氧化物

FET功能

标准

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)25° C时)

195A

不同 IdVgs时的 Rds On(值)

1.7毫欧@ 195A10V

不同Id时的Vgs(th)(值)

4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

330nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8920pF @ 25V

功率-

380W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247AC

包装

管件

 

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
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信息内容:

数据列表IRFP4227PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流-连续漏极(Id)(25° C时)65A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)25毫欧@ 46A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)98nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4600pF @ 25V功率-值330W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件 "

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信息内容:

数据列表FQP9N25C,产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装1,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)250V电流-连续漏极(Id)(25° C时)8.8A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)430毫欧@ 4.4A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)35nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)710pF @ 25V功率-值74W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220包装管件

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