供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQPF3N80C 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQPF3N80C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压, Vds 典型值： | 800V | |
| 功耗： | 39W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C |
- 场效应管MOSFET N TO-220F
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 3A
- 电压, Vds: 800V
- 在电阻RDS（上）: 4.8ohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 5V
- 功耗, Pd: 39W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220F
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 封装类??: TO-220F
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 晶体管数: 1
- 漏极电流, Id值: 3A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 800V
- 电压, Vgs: 5V
- 电流, Idm脉冲: 12A
- 表面安装器件: Through Hole
深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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