供应 IR牌子 场效应管IRFP044NPBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP044NPBF | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率： | 100W | |
| 电压： | 55V | |
| 电流： | 49A |
场效应管MOSFET N TO-247
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 49A
- 电压, Vds: 55V
- 在电阻RDS（???）: 20mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 100W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 175°C
- 封装类型: TO-247AC
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 100W
- 功耗: 100W
- 封装类型: TO-247AC
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 引脚节距: 5.45mm
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 53A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 55V
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 180A
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应：场效应管 FSC：FQA40N25 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA40N25数据列表FQA40N25产品相片TO-3P-3,TO-247-3产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装30类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)250V电流-连续漏极(Id)（25° C时）40A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）70毫欧@ 20A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)110nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4000pF @ 25V功率-值280W安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装TO-3PN包装管件其它名称FQA40N25-NDFQA40N25FS 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器...
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQPF3N80C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220F 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 3A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 4.8ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 39W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220F 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装类??: TO-220F 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 漏极电流, Id值: 3A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 5V 电流, Idm脉冲: 12A 表面安装器件: Through Hole
