Infineon MOS晶体管 BSP295 60V，1.8A，SOT-223 100%全...
| 价 格： | 面议 | |
| 批号： | 2013+ | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | BSP295 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装： | SOT-223 | |
| 通达类型： | N |
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产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 27 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 295 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| 功率耗散 | 1.8 W | |
| 栅源电压 | ±20 V | |
| 漏源电压 | 60 V | |
| 漏源电阻值 | 0.3 Ω | |
| 连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 工作温度 | 150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 1.6mm |
陈德民
公司信息未核实
- 所属城市：广东 汕头
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