IR增强功率MOS管 IRFP3710，100V 57A TO-247AC全新原装
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRFP3710 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
dzsc/19/3143/19314348.jpg
产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 58 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 190 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 3000 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 尺寸 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| 功率耗散 | 200 W | |
| 栅源电压 | ±20 V | |
| 漏源电压 | 100 V | |
| 漏源电阻值 | 0.025 Ω | |
| 连续漏极电流 | 57 A | |
| 工作温度 | 175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 20.3mm |
陈德民
公司信息未核实
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈德民
- 电话：754-84475714
- 传真：754-84475714
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
IR增强功率MOS管 IRFP23N50L IRFP23N50，500V 23A TO-2...
信息内容：dzsc/19/3144/19314434.jpg产品技术参数典型关断延迟时间53 ns典型接通延迟时间26 ns典型栅极电荷@Vgs150 nC V @ 10典型输入电容值@Vds3600 pF V @ 25安装类型通孔宽度5.31mm封装类型TO-247AC尺寸15.87 x 5.31 x 20.7mm引脚数目3工作温度-55 °C功率耗散370000 mW栅源电压±30 V漏源电压500 V漏源电阻值0.235 Ω连续漏极电流23 A工作温度 150 °C每片芯片元件数目1类别功率 MOSFET通道模式增强通道类型N配置单长度15.87mm高度20.7mm
T491B106K016AT(B-10UF-16V) KEMET钽电容
信息内容：dzsc/19/3168/19316869.jpg 制造商:Kemet 产品种类:钽质电容器-固体SMD RoHS:dzsc/19/3168/19316869.jpg 电容:10 uF 电压额定值:16 V ESR:2.8 Ohms 容差:10 % 外壳代码 - in:1411 外壳代码 - mm:3528 高度:2.1 mm 制造商库存号:B Case 工作温度范围:- 55 C to 125 C 系列:T491 产品:Tantalum Solid Standard Grade - Other Various 封装:Reel 尺寸:2.8 mm W x 3.5 mm L 损耗因数 DF:6 漏泄电流:1.6 uA 封装 / 箱体:1411 (3528 metric) 纹波电流:174 mA 包装数量:8000 端接类型:SMD/SMT
