MOS管 三极管 场效应 BD242FP
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 型号/规格： | BD242FP | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 BD242/A/B/C
产品相片 TO-220-3 Pkg
产品变化通告 Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
标准包装 200
类别 分离式半导体产品
家庭 晶体管(BJT) - 单路
系列 -
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)（） 3A
电压 - 集电极发射极击穿（） 80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） 1.2V @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止（） 300µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 25 @ 1A, 4V
功率 - 40W
频率 - 转换 -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
包装 散装
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应 IRFP254PBF IRFP254
信息内容：数据列表 IRFP254 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 140 毫欧 @ 14A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 23A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 140nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2700pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 "
MOS管 三极管 场效应 IRFP21N60PBF IRFP21N60 21N60
信息内容：数据列表 IRFP21N60LPBF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 320 毫欧 @ 13A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 21A Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4000pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件
