MOS管 三极管 场效应 IRFP254PBF IRFP254
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFP254PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRFP254
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 140 毫欧 @ 14A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 23A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2700pF @ 25V
功率 - 190W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 韦蘅珍
- 电话：
- 传真：
- 手机：18922867849
- QQ ：
MOS管 三极管 场效应 IRFP21N60PBF IRFP21N60 21N60
信息内容：数据列表 IRFP21N60LPBF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 320 毫欧 @ 13A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 21A Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4000pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件
MOS管 三极管 场效应IRG4RC10KPBF IRG4PH50K IRG4RC10KDTRPBF
信息内容：数据列表 IRG4RC10KPbF 产品相片 TO-252-2 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor DPAK 标准包装 75类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2.62V @ 15V, 5A 电流 - 集电极 (Ic)（） 9A 功率 - 38W 输入类型 标准型 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 管件
