MOS管 三极管 场效应IRG4RC10KPBF IRG4PH50K IRG4RC10KDTRPBF
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRG4RC10K | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRG4RC10KPbF
产品相片 TO-252-2
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor DPAK
标准包装 75
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 2.62V @ 15V, 5A
电流 - 集电极 (Ic)（） 9A
功率 - 38W
输入类型 标准型
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 韦蘅珍
- 电话：
- 传真：
- 手机：18922867849
- QQ ：
MOS管 三极管 场效应 IRF830PBF IRF830 IRF830A IRF830APBF
信息内容：数据列表 IRF830PBF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.5A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 610pF @ 25V 功率 - 74W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件
MOS管 三极管 场效应 IRF620 IRF6201TRPBF IRF620PBF
信息内容：数据列表 IRF620 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 800 毫欧 @ 3.1A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.2A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 260pF @ 25V 功率 - 50W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 "
