供应：TOSHIBA牌子2SK3878 【原装】【优势代理】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 封装形式： | TO-3P | |
| 型号/规格： | 2SK3878 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率： | 150W |
2SK3878
制造商 Toshiba
制造商零件编号 2SK3878(F)
描述 MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PN
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.3 欧姆 @ 4A, 10V
Id时的 Vgs(th)（） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2200pF @ 25V
功率 - 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装 TO-3P(N)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
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供应：FSC 场效应管： FQA24N50 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA24N50场效应管MOSFET N TO-3P晶体管极性:N沟道电流, Id连续:24A电压, Vds:500V在电阻RDS（上）:200mohm电压@ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th典型值:5V功耗, Pd:290W封装类型:TO-3P针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)功率, Pd:290W功耗:290W封装类型:TO-3P漏极电流, Id值:24A电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:500V电压, Vgs:5V电流, Idm脉冲:96A结温, Tj:-55°C结温, Tj:150°C 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器4：MICROCHIP（微芯）①：8位PIC单片机 ②：16位PIC单片机 ③：32位PIC单片机5:：Texas Instruments（德州仪器）：①：数字信号处理器 ②：模拟...
供应：ST牌子 场效应管STP60NF06 【原装】【假一罚十】
信息内容：STP60NF06场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 60A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（??）: 16mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 1V 功耗, Pd: 110W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 110W 功耗: 110W 器件标记: STP60NF06 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 漏极电流, Id值: 60A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 60V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 240A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 16mohm "
