供应：ST牌子 场效应管STP60NF06 【原装】【假一罚十】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | STP60NF06 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 工作温度范围:： | -55°C 到 +175°C | |
| 功耗： | 110W | |
| 电压： | 60V |
STP60NF06
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 60A
- 电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（??）: 16mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 1V
- 功耗, Pd: 110W
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd: 110W
- 功耗: 110W
- 器件标记: STP60NF06
- 封装类型: TO-220
- 封装类型,替代: SOT-78B
- 漏极电流, Id值: 60A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 60V
- 电压, Vds典型值: 60V
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 240A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 16mohm
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 IR牌子 场效应管IRF9Z34NPBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET P TO-220 -55V -17A 晶体管极性: P沟道 电流, Id连续: 17A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（上）: 100mohm 电压@ Rds测量: -10V 阈值电压, Vgs th典型值: -4V 功耗, Pd: 56W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 56W 功耗: 56W 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 引脚节距: 2.54mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: -19A 热阻,结至外壳A: 2.7°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: -10V 电压, Vds: 55V 电压, Vds典型值: -55V 电压, Vgs: -4V 电流, Idm脉冲: 68A 表面安装器件: Through Hole 针脚格式: 1 g 2 d/tab 3 s 针脚配置: a "
供应 ON牌子 场效应管NDF10N60ZG 【原装】
信息内容：数据列表NDF10N60ZG产品相片TO-220AB 标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)600V电流-连续漏极(Id)（25° C时）10A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）750毫欧@ 5A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）4.5V @ 100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)68nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)1645pF @ 25V功率-值39W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220FP包装管件
