供应：FSC 场效应管： FQA24N50 【全新原装】【优势代理】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQA24N50 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电流： | 24A | |
| 电压： | 10V | |
| 功耗： | 290W |
FQA24N50
- 场效应管MOSFET N TO-3P
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id连续:24A
- 电压, Vds:500V
- 在电阻RDS（上）:200mohm
- 电压@ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th典型值:5V
- 功耗, Pd:290W
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd:290W
- 功耗:290W
- 封装类型:TO-3P
- 漏极电流, Id值:24A
- 电压Vgs @ Rds on测量:10V
- 电压, Vds典型值:500V
- 电压, Vgs:5V
- 电流, Idm脉冲:96A
- 结温, Tj:-55°C
- 结温, Tj:150°C
深圳市信科盛电子经营部
地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都
联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795
主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振
优势品牌产品系列：
1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC
2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管
3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器
4：MICROCHIP（微芯）①：8位PIC单片机 ②：16位PIC单片机 ③：32位PIC单片机
5:：Texas Instruments（德州仪器）：①：数字信号处理器 ②：模拟和混合信号器件 ③：逻辑IC。
厂家直销：
1：蓝宝石电解电容
2：USB
3：晶振
4：产品较多未能录尽，如有需要请直接联系业务，
专注 热情
深圳市信科盛电子经营部
（前身：深圳市佳盛电子）成立至今已是多家公司、工厂，电子元器件供应商，长期合作伙伴。
公司始终秉持“信誉为本，质量，顾客至上”的经营理念。
我们今天所取得的成绩，取决于新老客户的大力支持与厚爱，今后我们将以更好的三优服务——质优、价优、服务优，来回馈客户多年来对信科盛电子一如既往的信任与合作！
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- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应：ST牌子 场效应管STP60NF06 【原装】【假一罚十】
信息内容：STP60NF06场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 60A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（??）: 16mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 1V 功耗, Pd: 110W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 110W 功耗: 110W 器件标记: STP60NF06 封装类型: TO-220 封装类型,替代: SOT-78B 漏极电流, Id值: 60A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 60V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 240A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 16mohm "
供应 IR牌子 场效应管IRF9Z34NPBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET P TO-220 -55V -17A 晶体管极性: P沟道 电流, Id连续: 17A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（上）: 100mohm 电压@ Rds测量: -10V 阈值电压, Vgs th典型值: -4V 功耗, Pd: 56W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 56W 功耗: 56W 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 引脚节距: 2.54mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: -19A 热阻,结至外壳A: 2.7°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: -10V 电压, Vds: 55V 电压, Vds典型值: -55V 电压, Vgs: -4V 电流, Idm脉冲: 68A 表面安装器件: Through Hole 针脚格式: 1 g 2 d/tab 3 s 针脚配置: a "
