供应 场效应管 SiR472DP ,SiR468DP,R472,R468
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SiR472DP\tVISHAY\tQFN8 5*6\t10NPB\tSMD/MOS\tN场\t30V\t20A\t12mΩ | |
| 品牌/商标： | VISHAY | |
| 封装形式： | QFN8 5*6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 大功率 |
产品型号:SiR472DP
特点
* 无卤素
* TrenchFET功率MOSFET
* 低热阻低1.07 mm外形的PowerPAK封装
* 优化的高侧同步整流的运作
* 100%的Rg测试
* 100%的UIS测试
应用
* 笔记本CPU核心
* 高边开关
封装:PowerPAK SO-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):29.8
输入电容Ciss(PF):820 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：52
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):24
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):12 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,20A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TPCA8060-H,TPCA8060
信息内容：产品型号:TPCA8060-H 1.应用: * 高效率的DC-DC转换器应用 * 笔记本电脑应用 * 移动设备的应用 2.特点: * 体积小,因小而薄的封装 * 高速开关 * 小闸极充电：QSW=17nC（typ.） * 低漏-源极导通电阻:RDS(ON)=2.8mΩ（typ.）（VGS= 4.5 V） * 高正向传输导纳：|YFS| =141S（typ.） * 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS=30 V） * 增强模式：VTH=1.3--2.3 V（VDS=10V，ID=1.0mA） 封装:PSOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):4600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：141 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):263 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):5.1typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ. 下降时间Tf(ns):8.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 AON6702,AON6702L,6702
信息内容：产品型号:AON6702L 概述 SRFET AON6702一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS （ON）和低栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中，负载开关和 一般用途 封装:QFN-8 5*6/DFN5X6 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):85 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.4 功率PD(W):83 输入电容Ciss(PF):5900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：140 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):259 导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ. 上升时间Tr(ns):11 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):61 typ. 下降时间Tf(ns):27 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,85A,0.002Ω N-沟道增强型场效应晶体管 带二极管保护 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
