供应 场效应管 TPCA8060-H,TPCA8060
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPCA8060-H\tTOSHIBA\tPSOP-8\t11NPB\tSMD/MOS\tN场\t30V\t45A\t0.0034Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | PSOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:TPCA8060-H
1.应用:
* 高效率的DC-DC转换器应用
* 笔记本电脑应用
* 移动设备的应用
2.特点:
* 体积小,因小而薄的封装
* 高速开关
* 小闸极充电：QSW=17nC（typ.）
* 低漏-源极导通电阻:RDS(ON)=2.8mΩ（typ.）（VGS= 4.5 V）
* 高正向传输导纳：|YFS| =141S（typ.）
* 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS=30 V）
* 增强模式：VTH=1.3--2.3 V（VDS=10V，ID=1.0mA）
封装:PSOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):4600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：141
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):263
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):5.1typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ.
下降时间Tf(ns):8.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AON6702,AON6702L,6702
信息内容：产品型号:AON6702L 概述 SRFET AON6702一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS （ON）和低栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中，负载开关和 一般用途 封装:QFN-8 5*6/DFN5X6 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):85 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.4 功率PD(W):83 输入电容Ciss(PF):5900 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：140 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):259 导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ. 上升时间Tr(ns):11 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):61 typ. 下降时间Tf(ns):27 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,85A,0.002Ω N-沟道增强型场效应晶体管 带二极管保护 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 2SK3667,K3667,2SK3797,K3797
信息内容：2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω 2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω 产品型号:2SK3667 特点 (1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.75 Ω (typ.) (2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.) (3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 600 V) (4) 增强模式: Vth = 2 to 4 V (VDS=10V,ID=1mA) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ. 下降时间Tf(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管
