供应 场效应管 2SK3667,K3667,2SK3797,K3797
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω
2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω
产品型号:2SK3667
特点
(1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.75 Ω (typ.)
(2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.)
(3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 600 V)
(4) 增强模式: Vth = 2 to 4 V (VDS=10V,ID=1mA)
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.
下降时间Tf(ns):35 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK2623,2SK2623A-MG-E,K2623
信息内容：2SK2623A-MG-E,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1.5A,5.5Ω 产品型号:2SK2623 特点: * 低导通电阻。 * 低Qg。 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):1.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5.5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 上升时间Tr(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ. 下降时间Tf(ns):17 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,1.5A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 KMB075N75P,KMB075N75P-U/P,KMB075N75
信息内容：产品型号:KMB075N75P-U/P 概述 这的平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。 特点: * VDSS =75V，ID =75A * 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V * QG（TYP.）=85nC * 改进的dv/dt容量，高耐用性 * 结温范围（175） 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):190 输入电容Ciss(PF):3000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350 导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ. 上升时间Tr(ns):300 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ. 下降时间Tf(ns):180 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
