供应 场效应管 AON6702,AON6702L,6702
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AON6702L,QFN-8 5*6/DFN5X6,SMD/MOS,N场,30V,85A,0.002Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/WPAK | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:AON6702L
概述
SRFET AON6702一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS
（ON）和低栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中，负载开关和
一般用途
封装:QFN-8 5*6/DFN5X6
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):85
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.4
功率PD(W):83
输入电容Ciss(PF):5900 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：140
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):259
导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.
上升时间Tr(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):61 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,85A,0.002Ω N-沟道增强型场效应晶体管 带二极管保护
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供应 场效应管 2SK3667,K3667,2SK3797,K3797
信息内容：2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω 2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω 产品型号:2SK3667 特点 (1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.75 Ω (typ.) (2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.) (3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 600 V) (4) 增强模式: Vth = 2 to 4 V (VDS=10V,ID=1mA) 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):7.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ. 下降时间Tf(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 2SK2623,2SK2623A-MG-E,K2623
信息内容：2SK2623A-MG-E,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1.5A,5.5Ω 产品型号:2SK2623 特点: * 低导通电阻。 * 低Qg。 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):1.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5.5 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 上升时间Tr(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ. 下降时间Tf(ns):17 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,1.5A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
