价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STF2HNK60Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4.5(V) | |
跨导: | 1500(μS) | |
极间电容: | 280(pF) | |
漏极电流: | 2000(mA) | |
耗散功率: | 20000(mW) |
• VDS=600V
• ID=2A
• 导通电阻:R<4.8Ω
• 总耗散功率:20W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
适用于:电桥驱动器 - 内部开关 40V,12A,35mΩ fully autoprotected Power MOSFET封装形式:TO-252耗散功率:74W储存温度范围:-55 ~ 150°
• VDS=900V • ID=8A• 导通电阻:R<1.3Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "