供应 ST功率MOS—VND14NV04-E 原装 40V 12A
| 价 格： | 4.45 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 型号/规格： | VND14NV04-E | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2.5（V） | |
| 跨导： | 18000（μS） | |
| 极间电容： | 400（pF） | |
| 漏极电流： | 12000（mA） | |
| 耗散功率： | 74000（mW） |
适用于：电桥驱动器 - 内部开关
40V,12A,35mΩ fully autoprotected Power MOSFET
封装形式：TO-252
耗散功率：74W
储存温度范围：-55 ~ 150°
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 何军
- 电话：021-39121306/39121309
- 传真：021-39121309
- 手机：15216657665/18964602998
- QQ ：
公司相关产品
长期供应ST原装MOS——STB9NK90Z
信息内容：• VDS=900V • ID=8A• 导通电阻：R<1.3Ω• 总耗散功率：160W• 工作温度范围：-55 ~ 150°C "
供应仙童原装MOS——FQPF2N90
信息内容：•功率损耗：35W •导通电阻：7.2Ω •工作温度范围：-55 ~ 150°C •开启延迟时间：15ns •关断延迟时间：20ns •封装形式：TO-220F "
