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场效应管 CEK01N6,CEK01N6G,CEK01N65

价 格: 面议
品牌/商标:CET/华瑞
型号/规格:CEK01N6,TO-92,DIP/MOS,N场,650V,0.3A,15Ω
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道

CEK01N6,TO-92,DIP/MOS,N场,650V,0.3A,15Ω

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:CEK01N6

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):0.3

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):3.1

极间电容Ciss(PF):140

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-92  /-55 ~150

描述:650V, 0.3A N-Channel 功率MOSFET


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深圳市金城微零件有限公司
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