供应 场效应管 FDD8451
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDD8451,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,28A,0.024Ω | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:FDD8451
概述
N-沟道MOSFET而专门设计的，以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。
它已被优化的低门电荷，快速开关速度和非常低的RDS（ON）。
应用
* DC / DC变换器
* 背光逆变器
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.024
漏极电流Id(on)(A):28
功率PD(W):30
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:40 V, 28A 功率MOSFET
特点:
* Max rDS(on)=24mΩ at VGS = 10V, ID = 9A
* Max rDS(on)=30mΩ at VGS = 4.5V, ID = 7A
* 低栅极电荷
* 快速开关
* 高性能沟槽技术非常低RDS（ON）
* RoHS标准
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SI7636DP-T1-E3,SI7636DP
信息内容：产品型号:SI7636DP-T1-E3 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 漏极电流Id(on)(A):17 功率PD(W):1.9 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):QFN8 5*6/PowerPAK SO-8/-55 ~150 描述:30V, 17A 功率MOSFET 特点 •无卤素根据IEC 61249-2-21可用的 •超低导通电阻采用高密度第二代TrenchFET功率MOSFET技术 •优化的Qg •新的低热阻的PowerPAK®封装低1.07 mm外形 •100％的Rg测试 应用 •低端的DC / DC转换 - 笔记本电脑 - 服务器 - 工作站 •同步整流，POL (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查 询\下载.)
供应 场效应管 STP80NF55-08,80NF55-08
信息内容：产品型号:STP80NF55-08 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 漏极电流Id(on)(A):80 功率PD(W):300 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:55 V, 80A 功率MOSFET 应用 ■ 开关应用 描述 这是功率MOSFET的发展意法半导体独有的“单一的功能尺寸”带为基础的进程。由此产生的晶体管显示了极高的堆积密度低导通电阻，坚固耐用的雪崩特性，少批评对齐步骤因此，一个了不起的制造重复性 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
