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mosfet开关管,厂家生产批发mosfet管

价 格: 面议
型号/规格:FNK5530PK
品牌/商标:FNK
封装形式:TO-252
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装

  乾野电子在目前(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。

 

  MOSFET的参数介绍

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-55

V

Gate-Source Voltage

VGS

±20

V

Drain Current-Continuous

ID

-30

A

Drain Current-Continuous(TC=100)

ID (100)

-21

A

Pulsed Drain Current

IDM

110

A

Maximum Power Dissipation

PD

90

W

Derating factor

 

0.72

W/

Single pulse avalanche energy (Note 5)

EAS

420

mJ

 

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V ID=-250μA

-55

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=-55V,VGS=0V

-

-

1

μA

Gate-Body Leakage Current

IGSS

VGS=±20V,VDS=0V

-

-

±100

nA

On Characteristics (Note 3)

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=-250μA

-2

-3

-4

V

Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS=-10V, ID=-15A

-

30

40

Forward Transconductance

gFS

VDS=-25V,ID=-16A

8

-

-

S

Dynamic Characteristics (Note4)

 

  MOSFET在导通时的通道电阻低,而截止时的电阻近乎无限大,所以适合作为类比讯号的开关(讯号的能量不会因为开关的电阻而损失太多)。MOSFET作为开关时,其源极与漏极的分别和其他的应用是不太相同的,因为讯号可以从MOSFET栅极以外的任一端进出。对NMOS开关而言,电压最负的一端就是源极,PMOS则正好相反,电压最正的一端是源极。MOSFET开关能传输的讯号会受到其栅极-源极、栅极-漏极,以及漏极到源极的电压限制,如果超过了电压的上限可能会导致MOSFET烧毁。

惠州市乾野电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 惠州
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吉先生
  • 电话:0752-7777240
  • 传真:0752-7777695
  • 手机:13380690588
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