mosfet检测,厂家批发mosfet管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK0113P | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
MOSFET的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-100 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-13 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-9.2 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
-30 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
40 |
W |
|
Derating factor |
|
0.32 |
W/℃ |
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
110 |
mJ |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted)
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-100 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-100V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±20 |
μA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1 |
-1.9 |
-3 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-16A |
- |
170 |
200 |
mΩ |
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-15V,ID=-5A |
12 |
- |
- |
S |
MOSFET的介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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mosfet原理, 中低压mosfet管
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -13 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -9.2 A Pulsed Drain Current...
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信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -13 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -9.2 ...
