mosfet原理, 中低压mosfet管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK0113P | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
MOSFET的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-100 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-13 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-9.2 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
-30 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
40 |
W |
|
Derating factor |
|
0.32 |
W/℃ |
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
110 |
mJ |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted)
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-100 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-100V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±20 |
μA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1 |
-1.9 |
-3 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-16A |
- |
170 |
200 |
mΩ |
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-15V,ID=-5A |
12 |
- |
- |
S |
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
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