价 格: | 7.80 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | SPA11N60C3 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
夹断电压: | 650(V) | |
极间电容: | 1200(pF) | |
漏极电流: | 11000(mA) | |
耗散功率: | 33000(mW) |
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
•工作温度范围:-55 to 150 °C
•开启延迟时间:10ns
•关断延迟时间:44ns
•SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
•表面安装器件:通孔安装
•功耗:33W
•封装类型:TO-220F
• VDS=650V • ID=14A• 导通电阻:R<0.299Ω• 总耗散功率:125W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "
•封装形式:TO-220AB•导通电阻:RDS(ON)=56mΩ•栅极电荷量:QGD=41nC• 反向恢复时间:Trr=150nS•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C