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供应 英飞凌MOS管原装 SPA11N60C3

价 格: 7.80
品牌/商标:INFINEON/英飞凌
型号/规格:SPA11N60C3
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
夹断电压:650(V)
极间电容:1200(pF)
漏极电流:11000(mA)
耗散功率:33000(mW)

 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

 

•工作温度范围:-55 to 150 °C

•开启延迟时间:10ns

•关断延迟时间:44ns

•SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
•表面安装器件:通孔安装
•功耗:33W
•封装类型:TO-220F

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
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长期供应ST原装MOS——STB15NM60ND

信息内容:

• VDS=650V • ID=14A• 导通电阻:R<0.299Ω• 总耗散功率:125W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "

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供应IR原装开关电源MOS——IRFB33N15D

信息内容:

•封装形式:TO-220AB•导通电阻:RDS(ON)=56mΩ•栅极电荷量:QGD=41nC• 反向恢复时间:Trr=150nS•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C

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