价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFB33N15D | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5.5(V) | |
跨导: | 14000(μS) | |
极间电容: | 2020(pF) | |
漏极电流: | 33000(mA) | |
耗散功率: | 170000(mW) |
•封装形式:TO-220AB
•导通电阻:RDS(ON)=56mΩ
•栅极电荷量:QGD=41nC
• 反向恢复时间:Trr=150nS
•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=150V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
• VDS=710V • ID=9A• 导通电阻:R<0.48Ω• 总耗散功率:90W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
600V N-Channel MOSFETFeatures•rDS(on) = 4.7Ω @ VGS = 10 V•Low gate charge (typical 8.5 nC)•Low Crss (typical 4.3 pF)•Fast switching•100% avalanche tested•Improved dv/dt capability