价 格: | 1.25 | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
型号: | IRLL014TRPBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | HA/行输出级 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 60(V) | |
夹断电压: | 27(V) | |
跨导: | 10(μS) | |
极间电容: | 20(pF) | |
低频噪声系数: | 10(dB) | |
漏极电流: | 270(mA) | |
耗散功率: | 2000(mW) |
IRLL014PBF |
SOT-223 |
IR(F,L)L Series Top IR(F,L)L Series Side |
2,500 |
離散半導體產品 |
FET - 單路 |
- |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
邏輯電平閘極 |
200 毫歐姆 @ 1.6A, 5V |
60V |
2.7A |
2V @ 250µA |
8.4nC @ 5V |
400pF @ 25V |
2W |
表面黏著式 |
TO-261-4, TO-261AA |
編帶和捲軸封裝(TR) |
SOT-223 |
1537 (TW2010-11 PDF) |
IRLL014PBFTR |
規格書IRF9540NSPbF(NLPbF)產品相片D2PAK, TO-263標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET P通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C117 毫歐姆 @ 14A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C23AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs110nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1450pF @ 25V功率 - 3.1W安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-263-3, D²Pak (2引線 接頭), TO-263AB封裝管裝供應商設備封裝D2PAK
規格書IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C32 毫歐姆 @ 36A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)150V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C51AId時的Vgs(th)(值)5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs89nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)2770pF @ 25V功率 - 3.8W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1548 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRFB52N15DPBF規格書IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C32 毫歐姆 @ 36A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)150V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C51AId時的Vgs(th)(值)5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs89nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)2770pF @ 25V功率 - 3.8W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1548 (TW20...