IRF9540NS F9540NS TO-263 IR原装公司 100V 23A
| 价 格： | 3.30 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF9540NS | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 夹断电压： | 100（V） | |
| 跨导： | 40（μS） | |
| 极间电容： | 4（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 330（mA） | |
| 耗散功率： | 410（mW） |
| IRF9540NSPbF(NLPbF) |
| D2PAK, TO-263 |
| 50 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| HEXFET® |
| MOSFET P通道，金屬氧化物 |
| 標準 |
| 117 毫歐姆 @ 14A, 10V |
| 100V |
| 23A |
| 4V @ 250µA |
| 110nC @ 10V |
| 1450pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面黏著式 |
| TO-263-3, D²Pak (2引線 接頭), TO-263AB |
| 管裝 |
| D2PAK |
- 所属城市：广东 深圳
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IRFB52N15DPBF FB52N15D 全新原装IR公司TO-220 52A 150V
信息内容：規格書IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C32 毫歐姆 @ 36A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)150V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C51AId時的Vgs(th)（值）5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs89nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)2770pF @ 25V功率 - 3.8W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1548 (TW2011-ZH PDF)其他名稱*IRFB52N15DPBF規格書IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C32 毫歐姆 @ 36A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)150V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C51AId時的Vgs(th)（值）5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs89nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)2770pF @ 25V功率 - 3.8W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1548 (TW20...
IRF9530NPBF IRF9530N F9530 TO-220AB 场效应管 IR品牌
信息内容：規格書IRF9530NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET P通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐姆 @ 8.4A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C14AId時的Vgs(th)（值）4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs58nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)760pF @ 25V功率 - 79W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRF9530NPBF"
