IRFB52N15DPBF FB52N15D 全新原装IR公司TO-220 52A 150V
| 价 格： | 5.50 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFB52N15DPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | HA/行输出级 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 150（V） | |
| 夹断电压： | 150（V） | |
| 跨导： | 1010（μS） | |
| 极间电容： | 10（pF） | |
| 低频噪声系数： | 01（dB） | |
| 漏极电流： | 51A（mA） | |
| 耗散功率： | 3.8W（mW） |
| IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF | ||||||||||||||||||||||
| TO-220AB PKG | ||||||||||||||||||||||
| IR Hexfet TO-220AB | ||||||||||||||||||||||
| 50 | ||||||||||||||||||||||
| 離散半導體產品 | ||||||||||||||||||||||
| FET - 單路 | ||||||||||||||||||||||
| HEXFET® | ||||||||||||||||||||||
| MOSFET N通道，金屬氧化物 | ||||||||||||||||||||||
| 標準 | ||||||||||||||||||||||
| 32 毫歐姆 @ 36A, 10V | ||||||||||||||||||||||
| 150V | ||||||||||||||||||||||
| 51A | ||||||||||||||||||||||
| 5V @ 250µA | ||||||||||||||||||||||
| 89nC @ 10V | ||||||||||||||||||||||
| 2770pF @ 25V | ||||||||||||||||||||||
| 3.8W | ||||||||||||||||||||||
| 通孔 | ||||||||||||||||||||||
| TO-220-3 | ||||||||||||||||||||||
| TO-220AB | ||||||||||||||||||||||
| 管裝 | ||||||||||||||||||||||
| 1548 (TW2011-ZH PDF) | ||||||||||||||||||||||
*IRFB52N15DPBF
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- 所属城市：广东 深圳
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IRF9530NPBF IRF9530N F9530 TO-220AB 场效应管 IR品牌
信息内容：規格書IRF9530NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET P通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐姆 @ 8.4A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C14AId時的Vgs(th)（值）4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs58nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)760pF @ 25V功率 - 79W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRF9530NPBF"
FDV303N BSS138 BSS123 FAIRCHILD公司 小功率MOS管 SOT-23封装
信息内容：規格書FDV303N產品相片SOT-23產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing產品變化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007產品目錄繪圖SuperSOT-3, SOT-23標準包裝1類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐姆 @ 500mA, 4.5V漏極至源極的電壓(Vdss)25V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C680mAId時的Vgs(th)（值）1.5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5VVds時的輸入電容(Ciss)50pF @ 10V功率 - 350mW安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供應商設備封裝SOT-23封裝絕緣帶封裝(CT)產品目錄頁面1632 (TW2011-ZH PDF)其他名稱FDV303NCT規格書FDV303N產品相片SOT-23產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing產品變化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007產品目錄繪圖SuperSOT-3, SOT-23標準包裝1類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐姆 @ 500mA, 4.5V漏極至源極的電壓(Vdss)25V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C680mAId時的Vgs(th)（值...
