IRF9530NPBF IRF9530N F9530 TO-220AB 场效应管 IR品牌
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF9530NPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 夹断电压： | 41（V） | |
| 低频跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 10（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 14（mA） | |
| 耗散功率： | 97（mW） |
| IRF9530NPbF |
| TO-220AB Pkg |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 離散半導體產品 |
| MOSFET，GaNFET - 單 |
| HEXFET® |
| MOSFET P通道，金屬氧化物 |
| 標準 |
| 200 毫歐姆 @ 8.4A, 10V |
| 100V |
| 14A |
| 4V @ 250µA |
| 58nC @ 10V |
| 760pF @ 25V |
| 79W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管裝 |
| TO-220AB |
| *IRF9530NPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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FDV303N BSS138 BSS123 FAIRCHILD公司 小功率MOS管 SOT-23封装
信息内容：規格書FDV303N產品相片SOT-23產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing產品變化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007產品目錄繪圖SuperSOT-3, SOT-23標準包裝1類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐姆 @ 500mA, 4.5V漏極至源極的電壓(Vdss)25V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C680mAId時的Vgs(th)（值）1.5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5VVds時的輸入電容(Ciss)50pF @ 10V功率 - 350mW安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供應商設備封裝SOT-23封裝絕緣帶封裝(CT)產品目錄頁面1632 (TW2011-ZH PDF)其他名稱FDV303NCT規格書FDV303N產品相片SOT-23產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing產品變化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007產品目錄繪圖SuperSOT-3, SOT-23標準包裝1類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐姆 @ 500mA, 4.5V漏極至源極的電壓(Vdss)25V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C680mAId時的Vgs(th)（值...
供应ZETEX MOS管FZT688
信息内容：标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）4A电压 - 集电极发射极击穿（）12VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）180mV @ 50mA, 1A电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)400 @ 3A, 2V功率 - 2W频率 - 转换150MHz安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223 (3 引线 接片), SC-73, TO-261包装带卷 (TR)
