FDV303N BSS138 BSS123 FAIRCHILD公司 小功率MOS管 SOT-23封装
| 价 格： | 0.25 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FDV303N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 25（V） | |
| 夹断电压： | 25（V） | |
| 跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 10（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 10（mA） | |
| 耗散功率： | 100（mW） |
| FDV303N | ||||||||||||||||||||||||
| SOT-23 | ||||||||||||||||||||||||
| High Voltage Switches for Power Processing | ||||||||||||||||||||||||
| Mold Compound Change 12/Dec/2007 | ||||||||||||||||||||||||
| SuperSOT-3, SOT-23 | ||||||||||||||||||||||||
| 1 | ||||||||||||||||||||||||
| 離散半導體產品 | ||||||||||||||||||||||||
| FET - 單路 | ||||||||||||||||||||||||
| - | ||||||||||||||||||||||||
| MOSFET N通道，金屬氧化物 | ||||||||||||||||||||||||
| 邏輯電平閘極 | ||||||||||||||||||||||||
| 450 毫歐姆 @ 500mA, 4.5V | ||||||||||||||||||||||||
| 25V | ||||||||||||||||||||||||
| 680mA | ||||||||||||||||||||||||
| 1.5V @ 250µA | ||||||||||||||||||||||||
| 2.3nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||||||||
| 50pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||||
| 350mW | ||||||||||||||||||||||||
| 表面黏著式 | ||||||||||||||||||||||||
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ||||||||||||||||||||||||
| SOT-23 | ||||||||||||||||||||||||
| 絕緣帶封裝(CT) | ||||||||||||||||||||||||
| 1632 (TW2011-ZH PDF) | ||||||||||||||||||||||||
FDV303NCT
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结型场效应管 深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 古泳
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IRFP22N50APBF IRFP460APBF N-CH 500V 22A TO-247AC
信息内容：規格書IRFP22N50A產品相片IRFP044NPBF產品目錄繪圖IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2標準包裝500類別離散半導體產品家庭FETs - Single系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C230 毫歐姆 @ 13A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)500V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C22AId時的Vgs(th)（值）4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs120nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)3450pF @ 25V功率 - 277W安裝類型通孔封裝/外殼TO-247-3 (TO-247AC)封裝管裝供應商設備封裝*產品目錄頁面1539 (TW2010-11 PDF)其他名稱*IRFP22N50APBF
