场效应管 IRL3715ZS / IRL3715ZSTRLPBF / L3715ZS
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRL3715ZS | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2.55（V） | |
| 极间电容： | 870（pF） | |
| 漏极电流： | 50,000（mA） | |
| 耗散功率： | 45,000（mW） |
IRL3715ZS中文资料：
制造商 | International Rectifier |
制造商零件编号 | IRL3715ZSTRLPBF |
描述 | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | HEXFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 11毫欧 @ 15A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
Id时的 Vgs(th)（） | 2.55V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 10V |
功率 - | 45W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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场效应管 HUF76107D3S / HUF76107 / 76107D
信息内容：HUF76107D3S中文资料： 制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号HUF76107D3S描述MOSFET N-CH 30V 20A DPAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列QFET™FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C85毫欧 @ 10A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20AId时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs10.3nC @ 15V在 Vds 时的输入电容(Ciss)5pF @ 25V功率 - 35W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)公司照片：dzsc/19/0518/19051895.jpgdzsc/19/0518/19051895.jpgdzsc/19/0518/19051895.jpgdzsc/19/0518/19051895.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 HUF76107D3S订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/ "
快恢复管 HFA08TB60STRL / HFA08TB60S
信息内容：dzsc/19/0532/19053220.jpgdzsc/19/0532/19053220.jpgdzsc/19/0532/19053220.jpgdzsc/19/0532/19053220.jpgdzsc/19/0532/19053220.jpg1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
