| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | ST/意法 | |
| 型号/规格: | STB15NM60ND | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | S/开关 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 开启电压: | 5(V) | |
| 夹断电压: | 25(V) | |
| 跨导: | 10000(μS) | |
| 极间电容: | 1250(pF) | |
| 漏极电流: | 14000(mA) | |
| 耗散功率: | 125000(mW) |
• VDS=650V
• ID=14A
• 导通电阻:R<0.299Ω
• 总耗散功率:125W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
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•封装形式:TO-220AB•导通电阻:RDS(ON)=56mΩ•栅极电荷量:QGD=41nC• 反向恢复时间:Trr=150nS•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C
• VDS=710V • ID=9A• 导通电阻:R<0.48Ω• 总耗散功率:90W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C