场效应管 PHD78NQ03LT PHD78NQ03 78NQ03
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 61A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | PHD78NQ03LT,MOS,25V,75A,0.009Ω,252 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | PHILIPS/飞利浦 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 1074 |
产品型号:PHD78NQ03LT
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):61
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):93
输入电容Ciss(PF):1074 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：34
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
上升时间Tr(ns):92 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ.
下降时间Tf(ns):40 typ.
温度(℃): -50 ~175
描述:25V,61A N-沟道增强型场效应晶体管
特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
应用范围：
.电脑主板
.DC到DC转换器
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com
3、TEL:4006262666
4、Q Q:4006262666
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方卫贤
- 电话：0755-82814431
- 传真：0755-82814431
- 手机：
- QQ ：
场效应管 CEU05N65,CEU01N65
信息内容：CEU05N65,SOT-252,SMD/MOS,N场,650V,4A,2.4ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:CEU05N65源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):4源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.4开启电压VGS(TH)(V):4.5功率PD(W):56极间电容Ciss(PF):570通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150描述:650V, 4A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)
场效应管 TK8A55DA,K8A55DA
信息内容：产品型号:TK8A55DA封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):7.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.07 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):800通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3单脉冲雪崩能量EAS(mJ):163温度(℃): -55 ~150描述:550V,7.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
