场效应管 CEU05N65,CEU01N65
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 型号/规格： | CEU05N65,SOT-252,SMD/MOS,N场,650V,4A,2.4Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
CEU05N65,SOT-252,SMD/MOS,N场,650V,4A,2.4Ω
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEU05N65
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.4
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):56
极间电容Ciss(PF):570
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:650V, 4A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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场效应管 TK8A55DA,K8A55DA
信息内容：产品型号:TK8A55DA封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):7.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.07 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):800通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3单脉冲雪崩能量EAS(mJ):163温度(℃): -55 ~150描述:550V,7.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 SI4168DY,SI4168DY-T1-GE3
信息内容：SI4168DY-T1-GE3,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,24A,0.0057Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.30V SOP-8场效应管（MOSFET）:SI4168DY-T1-GE3,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,24A,0.0057ΩAF4410NSLA,DIODES/美台,N场,SOP-8,30V,10A,0.0135ΩAO4414,AO,N场,SOP-8,30V,8.5A,0.026ΩSI4430BDY-T1-E3,VISHAY,N场,SOP-8,30V,14A,0.0045ΩAP6680M,AP/富鼎,N场,SOP-8,30V,11.5A,0.011ΩTPC8A02-H,TOSHIBA,N场,SOP-8,30V,16A,0.0056ΩTPC8020-H,TOSHIBA,N场,SOP-8,30V,13A,0.009ΩBSO052N03S,INFINEON,N场,SOP-8,30V,17A,0.0052ΩTPC8032-H,TOSHIBA,N场,SOP-8,30V,15A,0.0065ΩAO4704,AO,N场,SOP-8,30V,13A,0.0115ΩFDS6688,FAIRCHILD,N场,SOP-8,30V,16A,0.006ΩMDS2657,MagnaChip/美格纳,N场,SOP-8,30V,19.1A,0.0093ΩFDS6676AS,FAIRCHILD,N场,SOP-8,30V,14.5A,0.006ΩA...
