RD70HHF1是一个专门MOS FET型晶体管专为HF高功率放大器的应用 特性：高功率高增益：Pout>70W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=30MHz高效率：60%typ.on HF 频带 应用：对于输出的高功率放大器阶段HF频带移动无线sets

DESCRIPTION
RD70HHF1 is a MOS FET type transistor specifically
designed for HF High power amplifiers applications.



FEATURES
High power and High Gain:
Pout>70W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=30MHz
High Efficiency: 60%typ.on HF Band


APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in HF
Band mobile radio sets

深圳浩时健电子有限公司是国内三菱射频电子元器件供应商，三菱射频产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位推荐新产品：日本三菱公司生产的系列射频功率放大模块、系列射频场效应三极管。多年以来已为国内众多的生产厂家、科研院所、大专院校、国家重要单位维修部门的生产、维修、研制开发新品、教学实验等提供了准确、快捷、方便的配套供货服务。在经营运作上,我公司批发、零售兼营，可向用户长期保证货源，并保证供货品种的技术指标满足相关的国际检测标准。

三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）

RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。

三菱（MITSUBISHI）：（射频功率放大模块）

RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA01L8693MA等RA全系列。

本公司长期经营日本MITSUBISHI三菱全系列射频功率放大模块，保证全新原装，现货，批号无铅环保，假一罚十。深圳、香港公司备有大量现货库存，可提供样品，现特价热卖中。

深圳市浩时健电子技术有限公司（Shenzhen Haoshijian Electronics Co.,Ltd）是在中国地区面向OEM厂商和部属研究院提供产品销售和技术支持的办事机构。在全国设有两个办事处分别位于香港及深圳，总部设在香港。代理推广全球品牌传感器与控制；射频微波、电子元器件及模块系列产品。我们的产品主要应用在电子通讯、医疗设备、仪器仪表、电力系统和自动控制等行业。