三菱高频分立MOSFET管 RD70HVF1
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | RD70HVF1 | |
| 品牌/商标： | MITSUBISHI（三菱） | |
| 封装形式： | Ceramic | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 托盘 | |
| 功率特征： | 大功率 |
描述：RD70HVF1是一个专门MOS FET型晶体管专为VHF/UHF高功率放大器申请
特性：高功率高增益：Pout>70W, Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz Pout>50W, Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz 高效率：60%typ.on VHF 频带 高效率：55%typ.on UHF 频带
应用：对于输出的高功率放大器阶段VHF/UHF频带移动无线sets
ROHS柔性：RD70HVF1-101是RoHS兼容产品.RoHS遵守指示后，由信“G”该地段标志
DESCRIPTION
深圳浩时健电子有限公司是国内三菱射频电子元器件供应商，三菱射频产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位推荐新产品：日本三菱公司生产的系列射频功率放大模块、系列射频场效应三极管。多年以来已为国内众多的生产厂家、科研院所、大专院校、国家重要单位维修部门的生产、维修、研制开发新品、教学实验等提供了准确、快捷、方便的配套供货服务。在经营运作上,我公司批发、零售兼营，可向用户长期保证货源，并保证供货品种的技术指标满足相关的国际检测标准。
RD70HVF1 is a MOS FET type transistor specifically
designed for VHF/UHF High power amplifiers
applications.
FEATURES
High power and High Gain:
Pout>70W, Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz
Pout>50W, Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz
High Efficiency: 60%typ.on VHF Band
High Efficiency: 55%typ.on UHF Band
三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。
三菱（MITSUBISHI）：（射频功率放大模块）
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。
本公司长期经营日本MITSUBISHI三菱全系列射频功率放大模块，保证全新原装，现货，批号无铅环保，假一罚十。深圳、香港公司备有大量现货库存，可提供样品，现特价热卖中。
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供应功率分配器 BP2P1+
信息内容：Mini-Circuits：主要产品 混频器、功分器/合路器、阻抗变换器、衰减器、匹配负载、变压器、电缆、转接头、隔直模块、 功率检波器、放大器、调制器/解调器、定向耦合器、相位检波器、线延伸器、限幅器、倍频器、压控振荡器、偏置器、扼流圈、移相器、滤波器、开关。 BP2P1+：Mini-Circuits功率分配器 Surface Mount Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50Ω 1400 to 2350 MHz Maximum Ratings Operating Temperature -40°C to 85°C Storage Temperature -65°C to 150°C Power Input (as a splitter) 1.5W max. Internal Dissipation 0.75W max Permanent damage may occur if any of these limits are exceeded. Pin Connections SUM PORT 2 PORT 1 8 PORT 2 5 GROUND 1,3,4,6,7 Features • low insertion loss, 0.5 dB typ. • high isolation, 20 dB typ. • good output VSWR, 1.35:1 typ. • excellent power handling, 1.5W • excellent repeatability • low profile • aqueous wash...
Honeywell触力传感器 FSG15N1A
信息内容：FS系列触力传感器能够在小型商用级别封装下提供精确、可靠的触力传感功能，传感器内含已技术成熟的经特殊微切削硅传感芯片，低功耗、无放大、无补偿的惠斯顿电桥设计在1500g 量程中输出恒定的mV 信号。传感器的工作原理为：离子注入的压敏电阻受压弯曲时阻值发生变化，并正比于所施加的触力，触力是通过不锈钢插杆直接作用于传感器内部的硅敏感芯片，桥路电阻阻值正比与触力大小，桥路各电阻的变化产生对应的mV输出信号。传感器运用专利的模块结构，创新的弹性技术及工程模塑材料使传感器能承受5.5kg 的过压，不锈钢插杆提供极为的机械稳定性，能适合各种应用场合，各种电气连接方式，包括预联线、PCB、SMT安装方式，传感器独特的设计能提供包括安装支架在内的多种可选项，也可根据客户要求特制。 FS 系列触力传感器/1500g特点： ● 紧凑的商业级封装 ● 极低的偏差（典型值30 微米@满量程） ● 低重复性误差 (0.5% 满量程） ● 低线性误差 (0.5% 满量程） ● 低负载中心点偏离误差 ● 最小分辨率1 克 ● 快速响应（1 毫秒） ● 低功耗 ● 很高的抗ESD 能力-10KV 典型运用： ● 医疗吸引泵 ● 肾透析仪 ● 机械手 ● 可调张力控制 ● 负载或压缩测量 ...
