价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | NTB45N06L | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3(V) | |
跨导: | 22.8(μS) | |
极间电容: | 1700(pF) | |
漏极电流: | 45000(mA) | |
耗散功率: | 125000(mW) |
•VDS=60V
•ID=45A
•RDS(ON)<0.028Ω
•封装形式:D2PAK
•耗散功率:PD=125W @TC=25°C
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
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• VDS = 500V• ID = 11.5A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.7Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:42W
MDP12N50N-Channel MOSFET 500V, 11.5 A, 0.65Ω适用于:开关电源,HID,照明等 VDS = 500VID = 11.5A @ VGS = 10VRDS(ON) ≤ 0.65C @ VGS = 10V结温范围:-55 ~ 150°C耗散功率:165W封装形式:TO-220开启延迟时间:25ns关断延迟时间:40ns