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供应安森美MOS——NTB45N06L

价 格: 面议
品牌/商标:0N/安森美
型号/规格:NTB45N06L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3(V)
跨导:22.8(μS)
极间电容:1700(pF)
漏极电流:45000(mA)
耗散功率:125000(mW)

•VDS=60V

•ID=45A

•RDS(ON)<0.028Ω

•封装形式:D2PAK

•耗散功率:PD=125W   @TC=25°C

•工作温度范围:-55 ~ 175°C

 

 

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上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

• VDS = 500V• ID = 11.5A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.7Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:42W

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信息内容:

MDP12N50N-Channel MOSFET 500V, 11.5 A, 0.65Ω适用于:开关电源,HID,照明等 VDS = 500VID = 11.5A @ VGS = 10VRDS(ON) ≤ 0.65C @ VGS = 10V结温范围:-55 ~ 150°C耗散功率:165W封装形式:TO-220开启延迟时间:25ns关断延迟时间:40ns

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