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供应 美格拉(纳)MOS—MDP12N50TH 原装

价 格: 2.40
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDP12N50TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道

MDP12N50
N-Channel MOSFET 500V, 11.5 A, 0.65Ω

适用于:开关电源,HID,照明等

 

VDS = 500V
ID = 11.5A @ VGS = 10V
RDS(ON) ≤ 0.65C @ VGS = 10V

结温范围:-55 ~ 150°C

耗散功率:165W

封装形式:TO-220

开启延迟时间:25ns

关断延迟时间:40ns

 

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
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信息内容:

适用于:开关电源,HID,照明等 • VDS = 500V• ID = 13.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:42W

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信息内容:

•封装形式:TO-220• 工作温度范围:-55 ~ 150°C•耗散功率:150W•VDS= 600V•ID=9.0A @ VGS = 10V•RDS(ON0≤ 0.75D @ VGS = 10V"

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