价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP9N60TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | MES金属半导体 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 7000(μS) | |
极间电容: | 1160(pF) | |
漏极电流: | 9000(mA) | |
耗散功率: | 150000(mW) |
•封装形式:TO-220
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•耗散功率:150W
•VDS= 600V
•ID=9.0A @ VGS = 10V
•RDS(ON0≤ 0.75D @ VGS = 10V
"Single N-channel Trench MOSFET 30V, 53.0A, 7.3mΩ适用于:DC/DC转换器和通用 工作结温:-55 ~ 175°C "
N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET•功率损耗:25W•导通电阻RDS(ON)<6Ω•封装形式:TO-220F•工作温度范围:-55 ~ 150°C