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供应美格拉MOS管——MDP9N60TH

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDP9N60TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:MES金属半导体
开启电压:5(V)
跨导:7000(μS)
极间电容:1160(pF)
漏极电流:9000(mA)
耗散功率:150000(mW)

•封装形式:TO-220

• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

•耗散功率:150W

•VDS= 600V

•ID=9.0A @ VGS = 10V

•RDS(ON0≤ 0.75D @ VGS = 10V

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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
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  • QQ :QQ:17149511QQ:376861332
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