| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
| 型号/规格: | MDD2604RH | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DC/直流 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 2.7(V) | |
| 跨导: | 30000(μS) | |
| 极间电容: | 1520(pF) | |
| 漏极电流: | 53000(mA) | |
| 耗散功率: | 36700(mW) |
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 53.0A, 7.3mΩ
适用于:DC/DC转换器和通用
工作结温:-55 ~ 175°C
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N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET•功率损耗:25W•导通电阻RDS(ON)<6Ω•封装形式:TO-220F•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装类型:TO-220F •VDS=600V •ID= 4.6A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 2.0Ω @ VGS = 10V •耗散功率:34.7W •工作温度范围:-55 ~ 150°C "