价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STF3NK100Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
跨导: | 2400(μS) | |
极间电容: | 601(pF) | |
漏极电流: | 2500(mA) | |
耗散功率: | 25000(mW) |
N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
•功率损耗:25W
•导通电阻RDS(ON)<6Ω
•封装形式:TO-220F
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装类型:TO-220F •VDS=600V •ID= 4.6A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 2.0Ω @ VGS = 10V •耗散功率:34.7W •工作温度范围:-55 ~ 150°C "
导通电阻:0.21Ωdzsc/18/8705/18870528.jpgMOSFET N-CH 500V 20ATOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS