价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDF13N50GTH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 13000(μS) | |
极间电容: | 1390(pF) | |
漏极电流: | 13000(mA) | |
耗散功率: | 42000(mW) |
适用于:开关电源,HID,照明等
• VDS = 500V
• ID = 13.0A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• 功率损耗:42W
•封装形式:TO-220• 工作温度范围:-55 ~ 150°C•耗散功率:150W•VDS= 600V•ID=9.0A @ VGS = 10V•RDS(ON0≤ 0.75D @ VGS = 10V"
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 53.0A, 7.3mΩ适用于:DC/DC转换器和通用 工作结温:-55 ~ 175°C "