价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDF12N50FTH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4.5(V) | |
跨导: | 5000(μS) | |
极间电容: | 1300(pF) | |
漏极电流: | 11500(mA) | |
耗散功率: | 42000(mW) |
• VDS = 500V
• ID = 11.5A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 0.7Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• 功率损耗:42W
MDP12N50N-Channel MOSFET 500V, 11.5 A, 0.65Ω适用于:开关电源,HID,照明等 VDS = 500VID = 11.5A @ VGS = 10VRDS(ON) ≤ 0.65C @ VGS = 10V结温范围:-55 ~ 150°C耗散功率:165W封装形式:TO-220开启延迟时间:25ns关断延迟时间:40ns
适用于:开关电源,HID,照明等 • VDS = 500V• ID = 13.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:42W