20A DPAK贴片N沟道NTD20N06T4G MOSFET管TO-252原装On
| 价 格： | 0.10 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | NTD20N06T4G | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | ON/安森美 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
数据列表 | NTD20N06 |
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 20A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 46 毫欧 @ 10A，10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1015pF @ 25V |
功率 - 值 | 1.88W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NTD20N06T4GOS |
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9.5A600V直插塑封FQPF10N60C Mos管N沟道原装仙童
信息内容：数据列表FQP10N60C, FQPF10N60C产品相片TO-220AB 标准包装50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列QFET™FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）9.5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）730 毫欧 @ 4.75A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)57nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2040pF @ 25V功率 - 值50W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包供应商器件封装TO-220F包装管件
80A 24V 贴片N沟道NTD80N02-D MOSFET管TO-252/DPAK原装ON
信息内容：数据列表NTD80N02产品相片TO-263产品变化通告Product Discontinuation 03/Apr/2007标准包装75类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)24V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）80A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）5.8 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)42nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2600pF @ 20V功率 - 值75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63供应商器件封装D-Pak包装管件 我公司自成立以来，秉承“诚信，盈利第二；双赢互利，追求卓越”的宗旨，成为华强北实力的电子供应商之一，我们拥有的员工，为你提供势的价格，最及时周到的服务。欢迎您来电详询！联系电话：(86)0755 - 8276 8786 李小姐 0755 - 8276 8796 林小姐传 真：(86)0755 - 8271 9699 手 机：(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存，质量稳定有保证，我们将真诚及时提供予你市场的价格。"
