价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD80N02-D | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | L/功率放大 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
数据列表 NTD80N02 产品相片 TO-263 产品变化通告 Product Discontinuation 03/Apr/2007 标准包装 75 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss) 24V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 80A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 5.8 毫欧 @ 80A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 42nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2600pF @ 20V 功率 - 值 75W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 供应商器件封装 D-Pak 包装 管件
我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成
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"数据列表IRFP150产品相片TO-247-3产品目录绘图IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2标准包装500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)41A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)55 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)140nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2800pF @ 25V功率 - 值230W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247-3包装管件产品目录页面1529 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRFP150PBF 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。
数据列表HUF75842P3, HUF75842S3S产品相片TO-220-3, TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装400类别分立半导体产品家庭FET - 单系列UltraFET™FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)150V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)43A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)42 毫欧 @ 43A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)175nC @ 20V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2730pF @ 25V功率 - 值230W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB包装管件我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。 "