9.5A600V直插塑封FQPF10N60C Mos管N沟道原装仙童
| 价 格： | 2.90 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQPF10N60C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 批号： | 11+ | |
| 封装： | TO-220F |
数据列表 | FQP10N60C, FQPF10N60C |
产品相片 | TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9.5A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 730 毫欧 @ 4.75A，10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 57nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2040pF @ 25V |
功率 - 值 | 50W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件
|
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈瑞展
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80A 24V 贴片N沟道NTD80N02-D MOSFET管TO-252/DPAK原装ON
信息内容：数据列表NTD80N02产品相片TO-263产品变化通告Product Discontinuation 03/Apr/2007标准包装75类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)24V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）80A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）5.8 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)42nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2600pF @ 20V功率 - 值75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63供应商器件封装D-Pak包装管件 我公司自成立以来，秉承“诚信，盈利第二；双赢互利，追求卓越”的宗旨，成为华强北实力的电子供应商之一，我们拥有的员工，为你提供势的价格，最及时周到的服务。欢迎您来电详询！联系电话：(86)0755 - 8276 8786 李小姐 0755 - 8276 8796 林小姐传 真：(86)0755 - 8271 9699 手 机：(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存，质量稳定有保证，我们将真诚及时提供予你市场的价格。"
41A直插N沟道IRFP150 MOSFET管 原装IR
信息内容：数据列表IRFP150产品相片TO-247-3产品目录绘图IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2标准包装500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）41A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）55 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)140nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2800pF @ 25V功率 - 值230W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247-3包装管件产品目录页面1529 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRFP150PBF 我公司自成立以来，秉承“诚信，盈利第二；双赢互利，追求卓越”的宗旨，成为华强北实力的电子供应商之一，我们拥有的员工，为你提供势的价格，最及时周到的服务。欢迎您来电详询！联系电话：(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真：(86)0755 - 8271 9699 手 机：(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存，质量稳定有保证，我们将真诚提供予你市场的价格。
