MOS管 三极管 场效应 IRFP23N50LPBF IRFP23N50L IRFP23N50
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFP23N50LPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRFP23N50L
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 235 毫欧 @ 14A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 23A
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3600pF @ 25V
功率 - 370W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应IRFR110 IRFR110PBF IRFR110N IRFR110A
信息内容：数据列表 IRFR110, SiHRF110 产品相片 TO-252-2 标准包装 2,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 540 毫欧 @ 2.6A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.3A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 8.3nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 180pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 带卷 (TR) "
MOS管 三极管 场效应 IRG4RC10S IRG4RC10SD IRG4RC10
信息内容：数据列表 IRG4RC10SDPbF 产品相片 TO-252-2 标准包装 2,000类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 1.8V @ 15V, 8A 电流 - 集电极 (Ic)（） 14A 功率 - 38W 输入类型 标准型 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 带卷 (TR) 其它名称 IRG4RC10SDTRPBF-NDIRG4RC10SDTRPBFTR
